FDBL0120N40 onsemi / Fairchild
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 294.33 грн |
10+ | 262.07 грн |
100+ | 186.77 грн |
500+ | 158.2 грн |
1000+ | 134.5 грн |
2000+ | 126.84 грн |
4000+ | 121.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDBL0120N40 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDBL0120N40
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FDBL0120N40 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 240A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R |
товар відсутній |
||
FDBL0120N40 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
FDBL0120N40 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 25 V |
товар відсутній |