![FDB9503L-F085 FDB9503L-F085](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5972/488%7EMKT-TO263A02%7E%7E2.jpg)
FDB9503L-F085 onsemi
![fdb9503l_f085-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 354.32 грн |
10+ | 286.39 грн |
100+ | 231.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB9503L-F085 onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 333W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FDB9503L-F085 за ціною від 227.19 грн до 446.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDB9503L-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 291 шт: термін постачання 636-645 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDB9503L-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
FDB9503L-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDB9503L-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |