Продукція > ONSEMI > FDA38N30
FDA38N30

FDA38N30 onsemi

fda38n30-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 10139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.59 грн
30+ 162.47 грн
120+ 139.26 грн
510+ 116.16 грн
1020+ 99.47 грн
2010+ 93.66 грн
5010+ 88.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA38N30 onsemi

Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDA38N30 за ціною від 95.83 грн до 247.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor fda38n30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+223.06 грн
10+ 199.35 грн
25+ 160.23 грн
100+ 144.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : onsemi / Fairchild FDA38N30_D-2311983.pdf MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.1 грн
10+ 217.19 грн
25+ 150.53 грн
100+ 133.81 грн
250+ 128.23 грн
450+ 114.99 грн
900+ 106.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor fda38n30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+240.22 грн
57+ 214.68 грн
71+ 172.55 грн
100+ 155.75 грн
Мінімальне замовлення: 51
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ONSEMI 1851922.pdf Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+247.83 грн
10+ 157.14 грн
100+ 118.05 грн
500+ 106.71 грн
1000+ 95.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor 4268272214523908fda38n30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FDA38N30 Виробник : ONSEMI fda38n30-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 22A; Idm: 150A; 312W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 312W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDA38N30 Виробник : ONSEMI fda38n30-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 22A; Idm: 150A; 312W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 312W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній