FDA24N40F onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
на замовлення 5241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 284.21 грн |
| 30+ | 216.79 грн |
| 120+ | 185.83 грн |
| 510+ | 155.02 грн |
| 1020+ | 132.74 грн |
| 2010+ | 124.99 грн |
| 5010+ | 117.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDA24N40F onsemi
Description: ONSEMI - FDA24N40F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 23 A, 0.15 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDA24N40F за ціною від 140.08 грн до 326.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDA24N40F | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 400V N-Channel |
на замовлення 6970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDA24N40F | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA24N40F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 23 A, 0.15 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDA24N40F Код товару: 117173 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||
 |
FDA24N40F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FDA24N40F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FDA24N40F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FDA24N40F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 235W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FDA24N40F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 235W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |