FDA032N08 ON Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 249.17 грн |
| 10+ | 245.57 грн |
| 25+ | 214.91 грн |
| 30+ | 205.14 грн |
| 100+ | 174.85 грн |
| 120+ | 166.19 грн |
| 250+ | 165.36 грн |
| 450+ | 144.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDA032N08 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDA032N08 за ціною від 139.38 грн до 308.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDA032N08 | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFET PT3 75V 3.2mohm |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDA032N08 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 8100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDA032N08 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDA032N08 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDA032N08 Код товару: 169103 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
FDA032N08 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDA032N08 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDA032N08 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA032N08 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDA032N08 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 70V Drain current: 120A Pulsed drain current: 940A Power dissipation: 37.5W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDA032N08 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 70V Drain current: 120A Pulsed drain current: 940A Power dissipation: 37.5W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |