![FD300R06KE3HOSA1 FD300R06KE3HOSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/11/8/13/52/12/97098/smn_/manual/df200r12ke3new.jpg)
FD300R06KE3HOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7234.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FD300R06KE3HOSA1 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; screw, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Application: frequency changer; Inverter, Type of module: IGBT, Topology: boost chopper, Case: AG-62MM-1, Max. off-state voltage: 0.6kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 300A, Pulsed collector current: 600A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FD300R06KE3HOSA1 за ціною від 7470 грн до 7470 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FD300R06KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
FD300R06KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; screw Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Application: frequency changer; Inverter Type of module: IGBT Topology: boost chopper Case: AG-62MM-1 Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
![]() |
FD300R06KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||
FD300R06KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; screw Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Application: frequency changer; Inverter Type of module: IGBT Topology: boost chopper Case: AG-62MM-1 Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A |
товар відсутній |