![FD1000R33HE3KBPSA1 FD1000R33HE3KBPSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3705/FD16001200R17HP4.jpg)
FD1000R33HE3KBPSA1 Infineon Technologies
![Infineon-FD1000R33HE3_K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d76007b9a7266](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT MODULE 3300V 1000A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Brake Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 11500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 190 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 116426.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FD1000R33HE3KBPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 3300V 1000A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Dual Brake Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1000A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1000 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V, Power - Max: 11500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 190 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FD1000R33HE3KBPSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FD1000R33HE3KBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FD1000R33HE3KBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
FD1000R33HE3KBPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck-boost chopper; Urmax: 3.3kV Topology: buck-boost chopper Case: AG-IHVB190 Application: frequency changer; Inverter Power dissipation: 11.5kW Collector current: 1kA Pulsed collector current: 2kA Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 3.3kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
FD1000R33HE3KBPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck-boost chopper; Urmax: 3.3kV Topology: buck-boost chopper Case: AG-IHVB190 Application: frequency changer; Inverter Power dissipation: 11.5kW Collector current: 1kA Pulsed collector current: 2kA Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 3.3kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |