FCU600N65S3R0 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCU600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.493ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FCU600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.493ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 68.8 грн |
16+ | 50.82 грн |
100+ | 50.74 грн |
500+ | 47.04 грн |
1000+ | 43.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCU600N65S3R0 ONSEMI
Description: ONSEMI - FCU600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.493ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FCU600N65S3R0 за ціною від 50.74 грн до 129.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCU600N65S3R0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCU600N65S3R0 | Виробник : onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCU600N65S3R0 | Виробник : ON Semiconductor | MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm |
на замовлення 1615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |