![FCU3400N80Z FCU3400N80Z](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3765/MFG_HGT1S12N60C3.jpg)
FCU3400N80Z Fairchild Semiconductor
![ONSM-S-A0003587548-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 800V 2A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
492+ | 41.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCU3400N80Z Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 2A I-PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA, Supplier Device Package: I-PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCU3400N80Z
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCU3400N80Z | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
![]() |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
FCU3400N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |