FCPF7N60NT ON Semiconductor
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 49.88 грн |
| 14+ | 44.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF7N60NT ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCPF7N60NT за ціною від 151.56 грн до 250.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCPF7N60NT | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 600V N-Channel SupreMOS |
на замовлення 1109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FCPF7N60NT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
FCPF7N60NT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
FCPF7N60NT | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V |
товар відсутній |