Продукція > ONSEMI > FCPF190N65FL1
FCPF190N65FL1

FCPF190N65FL1 onsemi


fcpf190n65fl1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
202+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 202
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF190N65FL1 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCPF190N65FL1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCPF190N65FL1 FCPF190N65FL1 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FCPF190N65FL1-D-1806047.pdf MOSFET SF2 650V 190MOHM F TO220F
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FCPF190N65FL1 FCPF190N65FL1 Виробник : ON Semiconductor fcpf190n65fl1jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
FCPF190N65FL1 FCPF190N65FL1 Виробник : ON Semiconductor fcpf190n65fl1jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
FCPF190N65FL1 FCPF190N65FL1 Виробник : ON Semiconductor fcpf190n65fl1jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
FCPF190N65FL1 FCPF190N65FL1 Виробник : onsemi fcpf190n65fl1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 100 V
товар відсутній