на замовлення 7045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 256.12 грн |
50+ | 191.55 грн |
100+ | 151.93 грн |
500+ | 140.78 грн |
1000+ | 126.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF190N60E onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FCPF190N60E за ціною від 152.03 грн до 326.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCPF190N60E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FCPF190N60E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FCPF190N60E | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 3895 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
FCPF190N60E | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
FCPF190N60E | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |