FCPF190N60E

FCPF190N60E onsemi / Fairchild


FCPF190N60E_D-2312211.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
на замовлення 7045 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+256.12 грн
50+ 191.55 грн
100+ 151.93 грн
500+ 140.78 грн
1000+ 126.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF190N60E onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCPF190N60E за ціною від 152.03 грн до 326.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCPF190N60E FCPF190N60E Виробник : onsemi fcpf190n60e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+278.18 грн
50+ 212.63 грн
100+ 182.26 грн
500+ 152.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF190N60E FCPF190N60E Виробник : ONSEMI 2303906.pdf Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+326.01 грн
10+ 236.88 грн
100+ 192.32 грн
500+ 163.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCPF190N60E Виробник : ON Semiconductor fcpf190n60e-d.pdf
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF190N60E FCPF190N60E Виробник : ON Semiconductor 3678636644787662fcpf190n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FCPF190N60E FCPF190N60E Виробник : ON Semiconductor fcpf190n60e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній