FCPF11N65 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3PIN(
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Description: TRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3PIN(
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
189+ | 110.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF11N65 Fairchild Semiconductor
Description: TRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3PIN(, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FCPF11N65
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FCPF11N65 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET FG SUPERFET |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
FCPF11N65 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
FCPF11N65 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF11N65 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
FCPF11N65 | Виробник : ON Semiconductor | TRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3-PIN(3+TAB) TO-220F RAIL |
товар відсутній |
||
FCPF11N65 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V |
товар відсутній |