Продукція > ONSEMI > FCP190N65S3R0
FCP190N65S3R0

FCP190N65S3R0 onsemi

fcp190n65s3r0-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+105.42 грн
100+ 83.53 грн
250+ 81.39 грн
500+ 66.33 грн
1250+ 56.28 грн
2500+ 53.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP190N65S3R0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 144W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCP190N65S3R0 за ціною від 53.53 грн до 142.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCP190N65S3R0 FCP190N65S3R0 Виробник : onsemi fcp190n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.61 грн
10+ 104.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCP190N65S3R0 FCP190N65S3R0 Виробник : onsemi FCP190N65S3R0_D-2311801.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.75 грн
10+ 113.53 грн
100+ 80.65 грн
250+ 74.39 грн
500+ 67.92 грн
800+ 58.19 грн
2400+ 53.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCP190N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcp190n65s3r0-d.pdf
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCP190N65S3R0 FCP190N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcp190n65s3r0-d.pdf N Channel MOSFET
товар відсутній