Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FCP170N60
FCP170N60

FCP170N60 Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0002365465-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 380 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
85+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 85
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP170N60 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 380 V.

Інші пропозиції FCP170N60 за ціною від 196.08 грн до 327.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCP170N60 FCP170N60 Виробник : onsemi / Fairchild FCP170N60_D-2311978.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 22 A, 170 mO
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+278.07 грн
10+ 270.09 грн
800+ 207.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP170N60 FCP170N60 Виробник : onsemi fcp170n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 380 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+327.18 грн
50+ 249.22 грн
100+ 213.61 грн
500+ 196.08 грн
FCP170N60 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365465-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FCP170N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+236.1 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCP170N60 FCP170N60 Виробник : ON Semiconductor fcp170n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FCP170N60 FCP170N60 Виробник : ON Semiconductor fcp170n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній