FCP165N65S3R0 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: FCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 143+ | 145.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP165N65S3R0 Fairchild Semiconductor
Description: FCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 154W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCP165N65S3R0 за ціною від 134.18 грн до 300.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP165N65S3R0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 154W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V |
на замовлення 3527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCP165N65S3R0 | Виробник : onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG |
на замовлення 786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FCP165N65S3R0 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP165N65S3R0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| FCP165N65S3R0 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
FCP165N65S3R0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FCP165N65S3R0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FCP165N65S3R0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 154W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V |
товар відсутній |