![FCP11N60 FCP11N60](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
FCP11N60 ONSEMI
![FCP11N60.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 153.18 грн |
7+ | 132.12 грн |
18+ | 124.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP11N60 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FCP11N60 за ціною від 103.14 грн до 222.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCP11N60 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCP11N60 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCP11N60 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 133 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCP11N60 Код товару: 62645 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
FCP11N60 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |