![FCH165N60E FCH165N60E](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2173/TO-247-3-AD-EP.jpg)
FCH165N60E onsemi
![fch165n60e-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 305.32 грн |
30+ | 232.96 грн |
120+ | 199.69 грн |
510+ | 183.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH165N60E onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V.
Інші пропозиції FCH165N60E за ціною від 195.14 грн до 467.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCH165N60E | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCH165N60E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FCH165N60E | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 69A Power dissipation: 227W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FCH165N60E | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 69A Power dissipation: 227W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |