![FCH077N65F-F155 FCH077N65F-F155](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5442/MFG_IFEINFAIGW50N65F5XKSA1.jpg)
FCH077N65F-F155 Fairchild Semiconductor
![FAIR-S-A0000571263-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
66+ | 424.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH077N65F-F155 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 481W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCH077N65F-F155 за ціною від 376.33 грн до 761.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCH077N65F-F155 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCH077N65F-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FCH077N65F-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCH077N65F-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 8910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
FCH077N65F-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
FCH077N65F-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 32A Pulsed drain current: 162A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FCH077N65F-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 32A Pulsed drain current: 162A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |