![FCH060N80-F155 FCH060N80-F155](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4849/488_TO-247-3.jpg)
FCH060N80-F155 onsemi
![fch060n80_f155-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 800V 56A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14685 pF @ 100 V
на замовлення 3104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1216 грн |
10+ | 1031.94 грн |
450+ | 808.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH060N80-F155 onsemi
Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 58, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FCH060N80-F155 за ціною від 699 грн до 1308.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCH060N80-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FCH060N80-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 382 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FCH060N80-F155 Код товару: 158569 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
FCH060N80-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FCH060N80-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 58 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
FCH060N80-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 36.8A; Idm: 174A; 500W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 36.8A Pulsed drain current: 174A Power dissipation: 500W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 54mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FCH060N80-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 36.8A; Idm: 174A; 500W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 36.8A Pulsed drain current: 174A Power dissipation: 500W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 54mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |