FCD4N60TM onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 46.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCD4N60TM onsemi
Description: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FCD4N60TM за ціною від 41.76 грн до 96.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCD4N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FCD4N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCD4N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCD4N60TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET |
на замовлення 3646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FCD4N60TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V |
на замовлення 7750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCD4N60TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 15144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FCD4N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
FCD4N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
FCD4N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FCD4N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FCD4N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
| FCD4N60TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| FCD4N60TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |