Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCD260N65S3
FCD260N65S3

FCD260N65S3 ON Semiconductor

fcd260n65s3-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+83.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD260N65S3 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCD260N65S3 за ціною від 73.87 грн до 183.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCD260N65S3 FCD260N65S3 Виробник : onsemi FCD260N65S3_D-2311674.pdf MOSFETs SUPERFET3 260MOHM TO252
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.23 грн
10+ 133.84 грн
100+ 103.84 грн
500+ 95.48 грн
1000+ 80.84 грн
2500+ 75.96 грн
5000+ 73.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD260N65S3 FCD260N65S3 Виробник : onsemi fcd260n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.94 грн
10+ 147.08 грн
100+ 117.06 грн
500+ 92.95 грн
1000+ 78.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCD260N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcd260n65s3-d.pdf
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCD260N65S3 FCD260N65S3 Виробник : onsemi fcd260n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
товар відсутній