Продукція > ONSEMI > FCB199N65S3
FCB199N65S3

FCB199N65S3 onsemi

fcb199n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 400 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+158.42 грн
1600+ 130.62 грн
2400+ 122.99 грн
5600+ 110.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCB199N65S3 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 98W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCB199N65S3 за ціною від 124.75 грн до 282.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCB199N65S3 FCB199N65S3 Виробник : onsemi fcb199n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 400 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+262.35 грн
10+ 212.12 грн
100+ 171.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCB199N65S3 FCB199N65S3 Виробник : onsemi / Fairchild FCB199N65S3_D-2311883.pdf MOSFETs SuperFET3 650V 199mOhm D2PAK PKG
на замовлення 8789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.13 грн
10+ 233.22 грн
25+ 190.95 грн
100+ 163.77 грн
250+ 154.71 грн
500+ 145.65 грн
800+ 124.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCB199N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcb199n65s3-d.pdf
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCB199N65S3 FCB199N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcb199n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FCB199N65S3 FCB199N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcb199n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній