FCA36N60NF ON Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 206.89 грн |
| 450+ | 195.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCA36N60NF ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4245 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCA36N60NF за ціною від 245.95 грн до 352.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCA36N60NF | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 34.9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FCA36N60NF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 34.9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FCA36N60NF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 34.9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FCA36N60NF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 34.9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FCA36N60NF | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 600V N-Ch SupreMOS FRFET MOSFET |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
FCA36N60NF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 34.9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
FCA36N60NF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 104.7A; 312W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Pulsed drain current: 104.7A Power dissipation: 312W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 112nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
 |
FCA36N60NF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4245 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||
|
|
FCA36N60NF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 104.7A; 312W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Pulsed drain current: 104.7A Power dissipation: 312W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 112nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |