![F4200R17N3E4BPSA1 F4200R17N3E4BPSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3234/Econo3B.jpg)
F4200R17N3E4BPSA1 Infineon Technologies
![Infineon-F4-200R17N3E4-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d07efa4e27f23](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT MOD 1700V 200A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16500.76 грн |
10+ | 14882.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F4200R17N3E4BPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 200A 20MW, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V.
Інші пропозиції F4200R17N3E4BPSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
F4200R17N3E4BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
F4200R17N3E4BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |