![ESH2DHE3_A/H ESH2DHE3_A/H](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/8c836dde59d2319b3e051f8e16cf65c517cf1811/murs360s-m3.jpg)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
750+ | 9.68 грн |
2250+ | 9.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ESH2DHE3_A/H Vishay
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V.
Інші пропозиції ESH2DHE3_A/H за ціною від 9.51 грн до 29.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ESH2DHE3_A/H | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
ESH2DHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
ESH2DHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
на замовлення 5203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
ESH2DHE3_A/H | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||
![]() |
ESH2DHE3_A/H | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |