ESH2D-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3200+ | 9.85 грн |
6400+ | 9.01 грн |
9600+ | 8.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ESH2D-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V.
Інші пропозиції ESH2D-E3/5BT за ціною від 9.96 грн до 31.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ESH2D-E3/5BT | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMB T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ESH2D-E3/5BT | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMB T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ESH2D-E3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
на замовлення 20784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ESH2D-E3/5BT | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMB T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ESH2D-E3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 2.0A 25ns Glass Passivated |
на замовлення 7485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ESH2D-E3/5BT | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 2.0A 25ns Glass Passivated |
на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
ESH2D-E3/5BT | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |