ES3JB R5G Taiwan Semiconductor
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 63.04 грн |
10+ | 53.81 грн |
100+ | 33.3 грн |
500+ | 27.84 грн |
1000+ | 23.68 грн |
3400+ | 21.1 грн |
6800+ | 19.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES3JB R5G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції ES3JB R5G за ціною від 51.8 грн до 65.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ES3JB R5G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
ES3JB R5G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 3A 2-Pin SMB T/R |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
ES3JB R5G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 3A 35ns 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |
||||||||
ES3JB R5G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |