![ES3G-E3/57T ES3G-E3/57T](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2014/1/6/6/26/0/890/vsh_/manual/ss34he3_a.jpg)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
44+ | 7.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES3G-E3/57T Vishay
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V.
Інші пропозиції ES3G-E3/57T за ціною від 7.42 грн до 51.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 23800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 51850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 51850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 7650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 3A; 50ns; DO214AB,SMC; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 15pF Case: DO214AB; SMC Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 0.35mA Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 3A; 50ns; DO214AB,SMC; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 15pF Case: DO214AB; SMC Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 0.35mA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1989 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 16142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 7912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ES3G-E3/57T | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 16142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
ES3G-E3/57T | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |