![ES2F-E3/52T ES2F-E3/52T](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/8c836dde59d2319b3e051f8e16cf65c517cf1811/murs360s-m3.jpg)
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
750+ | 7.75 грн |
3000+ | 7.67 грн |
4500+ | 7.6 грн |
7500+ | 7.26 грн |
15000+ | 6.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES2F-E3/52T Vishay
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V.
Інші пропозиції ES2F-E3/52T за ціною від 6.71 грн до 30.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ES2F-E3/52T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES2F-E3/52T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES2F-E3/52T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES2F-E3/52T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V |
на замовлення 26250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES2F-E3/52T | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES2F-E3/52T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V |
на замовлення 26620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES2F-E3/52T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
ES2F-E3/52T | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ES2F-E3/52T Код товару: 189503 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
ES2F-E3/52T | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
ES2F-E3/52T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 300V; 2A; 35ns; DO214AA,SMB; Ifsm: 50A Mounting: SMD Case: DO214AA; SMB Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 300V Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Load current: 2A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
ES2F-E3/52T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 300V; 2A; 35ns; DO214AA,SMB; Ifsm: 50A Mounting: SMD Case: DO214AA; SMB Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 300V Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Load current: 2A |
товар відсутній |