Продукція > VISHAY > ES2DHE3J_A/H

ES2DHE3J_A/H Vishay


es2.pdf Виробник: Vishay
2A,200V,20ns, SMB,UF Rect, SMD
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ES2DHE3J_A/H Vishay

Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 20 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції ES2DHE3J_A/H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ES2DHE3J_A/H ES2DHE3J_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
ES2DHE3J_A/H ES2DHE3J_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor es2.pdf Rectifiers 2A,200V,20ns, SMB,UF Rect, SMD
товар відсутній