![ES2DHE3_A/I ES2DHE3_A/I](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1232/112;DO214AA,SMB;;2.jpg)
ES2DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![es2.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3200+ | 12.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES2DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 20 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції ES2DHE3_A/I за ціною від 9.97 грн до 39.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ES2DHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 25600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES2DHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES2DHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 25600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES2DHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES2DHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES2DHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |