![ES2C-E3/52T ES2C-E3/52T](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/8c836dde59d2319b3e051f8e16cf65c517cf1811/murs360s-m3.jpg)
на замовлення 35250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
750+ | 10.18 грн |
2250+ | 9.29 грн |
9750+ | 9.22 грн |
24750+ | 8.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES2C-E3/52T Vishay
Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V.
Інші пропозиції ES2C-E3/52T за ціною від 5.68 грн до 31.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ES2C-E3/52T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 2A; DO214AA,SMB; Ifsm: 50A; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 150V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Case: DO214AA; SMB Max. forward impulse current: 50A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES2C-E3/52T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 35250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES2C-E3/52T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 2A; DO214AA,SMB; Ifsm: 50A; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 150V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Case: DO214AA; SMB Max. forward impulse current: 50A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 277 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES2C-E3/52T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES2C-E3/52T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V |
на замовлення 3128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES2C-E3/52T | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES2C-E3/52T | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
ES2C-E3/52T | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |