![ES1JLW ES1JLW](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/abe6ab2ac6d803b3cf88e47617a11d6497034ddd/sod-123w.jpg)
ES1JLW Taiwan Semiconductor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 5.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES1JLW Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123W, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-123W, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції ES1JLW за ціною від 4.6 грн до 31.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ES1JLW | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1JLW | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ES1JLW | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 78012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1JLW | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1JLW | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
ES1JLW | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
ES1JLW | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |