ES1FL RVG

ES1FL RVG Taiwan Semiconductor


es1al_f11.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 300V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 1678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
307+39.4 грн
396+ 30.55 грн
400+ 30.26 грн
504+ 23.14 грн
1000+ 14.59 грн
Мінімальне замовлення: 307
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ES1FL RVG Taiwan Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V.

Інші пропозиції ES1FL RVG за ціною від 13.01 грн до 42.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ES1FL RVG ES1FL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor es1al_f11.pdf Diode Switching 300V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+42.22 грн
17+ 37.27 грн
25+ 36.94 грн
50+ 35.28 грн
100+ 25.33 грн
250+ 24.08 грн
500+ 19.1 грн
1000+ 13.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
ES1FL RVG ES1FL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor es1al_f11.pdf Diode Switching 300V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ES1FL RVG ES1FL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товар відсутній
ES1FL RVG ES1FL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товар відсутній
ES1FL RVG ES1FL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor ES1AL_SERIES_K15-1918121.pdf Rectifiers 35ns 1A 300V Super F ast Recovery Rect
товар відсутній