ES1FL RVG Taiwan Semiconductor
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
307+ | 39.4 грн |
396+ | 30.55 грн |
400+ | 30.26 грн |
504+ | 23.14 грн |
1000+ | 14.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES1FL RVG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V.
Інші пропозиції ES1FL RVG за ціною від 13.01 грн до 42.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ES1FL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 300V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
ES1FL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 300V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
ES1FL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
ES1FL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
ES1FL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 300V Super F ast Recovery Rect |
товар відсутній |