![ES1DL R3G ES1DL R3G](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE2SMF-40.jpg)
ES1DL R3G TAIWAN SEMICONDUCTOR
![2357975.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Sub-SMA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 27.36 грн |
500+ | 19.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES1DL R3G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Sub-SMA, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ES1D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції ES1DL R3G за ціною від 19.89 грн до 52.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ES1DL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
ES1DL R3G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Sub-SMA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
ES1DL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
|
ES1DL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товар відсутній |