ES1CL R3G Taiwan Semiconductor
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES1CL R3G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V.
Інші пропозиції ES1CL R3G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
ES1CL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 150V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA |
товар відсутній |
||
ES1CL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V |
товар відсутній |