ES1BL Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES1BL Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1BL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Sub-SMA, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ES1BL за ціною від 4.88 грн до 33.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ES1BL | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1BL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 27900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ES1BL | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 35ns, 1A, 100V, Super Fast Recovery Rectifier |
на замовлення 19537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ES1BL | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1BL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Sub-SMA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 27900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ES1BL | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 36220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ES1BL | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
ES1BL | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 100V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
товар відсутній |