ES1BL R3G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1BL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1BL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 29.86 грн |
500+ | 21.85 грн |
1000+ | 13 грн |
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Технічний опис ES1BL R3G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1BL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SMD, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ES1B, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції ES1BL R3G за ціною від 6.22 грн до 51.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
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ES1BL R3G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1BL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1B productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES1BL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES1BL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 100V, Super Fast Recovery Rectifier |
на замовлення 2916 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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ES1BL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
товар відсутній |