![ES1BHE3_A/I ES1BHE3_A/I](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/26/112;DO214AC,SMA;;2.jpg)
ES1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![es1.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 26.39 грн |
15+ | 19.96 грн |
100+ | 12 грн |
500+ | 10.43 грн |
1000+ | 7.09 грн |
2000+ | 6.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції ES1BHE3_A/I за ціною від 5.99 грн до 28.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ES1BHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1BHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
ES1BHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
ES1BHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |