ES1BHE3_A/I

ES1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


es1.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.39 грн
15+ 19.96 грн
100+ 12 грн
500+ 10.43 грн
1000+ 7.09 грн
2000+ 6.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ES1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції ES1BHE3_A/I за ціною від 5.99 грн до 28.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ES1BHE3_A/I ES1BHE3_A/I Виробник : Vishay General Semiconductor es1.pdf Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM
на замовлення 7378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.7 грн
15+ 21.96 грн
100+ 11.57 грн
500+ 10.66 грн
1000+ 6.69 грн
2500+ 6.41 грн
7500+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
ES1BHE3_A/I ES1BHE3_A/I Виробник : Vishay es1.pdf Rectifier Diode Switching 100V 1A 15ns Automotive 2-Pin SMA T/R
товар відсутній
ES1BHE3_A/I ES1BHE3_A/I Виробник : Vishay es1.pdf Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
ES1BHE3_A/I ES1BHE3_A/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній