![ES07B-GS08 ES07B-GS08](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/1/7/11/9/14/830666/vsh_/manual/v3fm15hm3.jpg)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES07B-GS08 Vishay
Description: VISHAY - ES07B-GS08 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1.2 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 980mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ES07B, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції ES07B-GS08 за ціною від 3.83 грн до 31.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ES07B-GS08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES07B-GS08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES07B-GS08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES07B-GS08 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1.2A; 25ns; DO219AB,SMF; Ufmax: 0.98V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1.2A Reverse recovery time: 25ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 4pF Case: DO219AB; SMF Max. forward voltage: 0.98V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape |
на замовлення 3872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES07B-GS08 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1.2A; 25ns; DO219AB,SMF; Ufmax: 0.98V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1.2A Reverse recovery time: 25ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 4pF Case: DO219AB; SMF Max. forward voltage: 0.98V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3872 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES07B-GS08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 66296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES07B-GS08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 49670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES07B-GS08 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 980mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES07B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 23885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES07B-GS08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
ES07B-GS08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |