EMZ7T2R ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 17.28 грн |
500+ | 12.49 грн |
1000+ | 10.1 грн |
5000+ | 10.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMZ7T2R ROHM
Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA, Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: EMT, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції EMZ7T2R за ціною від 10.03 грн до 43.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
EMZ7T2R | Виробник : ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 12V 500MA |
на замовлення 7373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EMZ7T2R | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: EMT Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EMZ7T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz, 260MHz Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 7721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EMZ7 T2R | Виробник : ROHM | EMT6 |
на замовлення 106500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EMZ7 T2R | Виробник : ROHM | SOT23-6 |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EMZ7 T2R | Виробник : ROHM | SOT663 |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EMZ7T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR | EMZ7T2R Complementary transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
EMZ7T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz, 260MHz Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |