![EMX52T2R EMX52T2R](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2446/EMT6_EMT6%20PKg.jpg)
EMX52T2R Rohm Semiconductor
![datasheet?p=EMX52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8000+ | 5.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMX52T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 350MHz, Supplier Device Package: EMT6, Part Status: Active.
Інші пропозиції EMX52T2R за ціною від 4.16 грн до 34.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
EMX52T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 12985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
EMX52T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
EMX52T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563 Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN x2 Current gain: 120...560 Frequency: 350MHz Collector current: 0.1A кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
EMX52T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563 Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN x2 Current gain: 120...560 Frequency: 350MHz Collector current: 0.1A |
товар відсутній |