![EMN11T2R EMN11T2R](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/9d8bdc4f39ad1b0d9fae0f20e5144a6e1177e2fa/emd6.jpg)
EMN11T2R Rohm Semiconductor
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
822+ | 14.67 грн |
902+ | 13.36 грн |
1053+ | 11.45 грн |
1101+ | 10.56 грн |
2000+ | 9.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMN11T2R Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA EMD6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA, Supplier Device Package: EMD6, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V.
Інші пропозиції EMN11T2R за ціною від 6.26 грн до 32.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
EMN11T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
EMN11T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
EMN11T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
EMN11T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: EMD6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
EMN11 T2R | Виробник : ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 5146 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
EMN11T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 80V; 0.1A; 4ns; SOT563; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 4A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common cathode; double x2 Max. off-state voltage: 80V Reverse recovery time: 4ns Max. load current: 0.3A Max. forward voltage: 1.2V Load current: 0.1A Max. forward impulse current: 4A Type of diode: switching кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
EMN11T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: EMD6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
EMN11T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 80V; 0.1A; 4ns; SOT563; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 4A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common cathode; double x2 Max. off-state voltage: 80V Reverse recovery time: 4ns Max. load current: 0.3A Max. forward voltage: 1.2V Load current: 0.1A Max. forward impulse current: 4A Type of diode: switching |
товар відсутній |