EMH60T2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 5.46 грн |
| 16000+ | 4.55 грн |
| 24000+ | 4.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMH60T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMH60T2R за ціною від 2.91 грн до 35.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EMH60T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
на замовлення 7890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EMH60T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 7890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EMH60T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 47960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EMH60T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN+NPN Digital transistor(with built-in resistors) |
на замовлення 328830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|