![EMH2T2R EMH2T2R](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2446/EMT6_EMT6 PKg.jpg)
EMH2T2R Rohm Semiconductor
![datasheet?p=EMH2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8000+ | 6.95 грн |
16000+ | 6.03 грн |
24000+ | 5.94 грн |
56000+ | 5.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMH2T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMH2T2R за ціною від 5.55 грн до 29.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
EMH2T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 87850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
EMH2T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 14125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
EMH2T2R | Виробник : ROHM |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EMH2T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товар відсутній |