EMH11T2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 7.02 грн |
| 16000+ | 6.08 грн |
| 24000+ | 5.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMH11T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMH11T2R за ціною від 5.61 грн до 29.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EMH11T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 27909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EMH11T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DUAL NPN 50V 50MA |
на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| EMH11 T2R | Виробник : ROHM | SOT153-H11 |
на замовлення 6512 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| EMH11T2R | Виробник : ROHM |
SOT23 |
на замовлення 694 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| EMH11 T2R | Виробник : ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 2881 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| EMH11T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 10kΩ Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| EMH11T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 10kΩ Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ |
товару немає в наявності |