EM6M2T2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 10.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EM6M2T2R Rohm Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: complementary pair, Drain-source voltage: 20/-20V, Drain current: 0.2/-0.2A, Pulsed drain current: 0.4A, Power dissipation: 0.15W, Case: SOT563, Gate-source voltage: ±8/±10V, On-state resistance: 1/1.2Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції EM6M2T2R за ціною від 6.3 грн до 37.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EM6M2T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.2/-0.2A Pulsed drain current: 0.4A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±8/±10V On-state resistance: 1/1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 6640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EM6M2T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.2/-0.2A Pulsed drain current: 0.4A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±8/±10V On-state resistance: 1/1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 6640 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EM6M2T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 110623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EM6M2T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET |
на замовлення 12369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|