EM6K6T2R Rohm Semiconductor
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1583+ | 7.73 грн |
| 2025+ | 6.04 грн |
| 2028+ | 6.03 грн |
| 2061+ | 5.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EM6K6T2R Rohm Semiconductor
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції EM6K6T2R за ціною від 6.98 грн до 36.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EM6K6T2R | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 31477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EM6K6T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 5114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EM6K6T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EM6K6T2R | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 27632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EM6K6T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 11517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EM6K6T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W |
на замовлення 6413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| EM6K6T2R | Виробник : ROHM |
10+ EMT6 |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| EM6K6T2R | Виробник : Rohm |
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| EM6K6 T2R | Виробник : ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 7946 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| EM6K6T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
EM6K6T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| EM6K6T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |