EGP10F onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.15 грн |
12+ | 24.46 грн |
100+ | 16.98 грн |
500+ | 12.44 грн |
1000+ | 10.11 грн |
2000+ | 9.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EGP10F onsemi
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO41, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-41, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V.
Інші пропозиції EGP10F за ціною від 8.43 грн до 32.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
EGP10F | Виробник : onsemi / Fairchild | Rectifiers 1A Rectifier UF Recovery |
на замовлення 3123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
EGP10F | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGP10F - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
EGP10F | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 300V 1A 50ns 2-Pin DO-41 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
EGP10F | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V |
товар відсутній |